KIOXIA präsentiert mit der fünften Generation der BiCS-FLASH-Technologie (BiCS5) eine neue 3D-NAND-Flash-Speicherlösung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur – statt bisher 96 Lagen bei der vierten Generation. Erste Muster mit einer Kapazität von 512 Gigabit (64 Gigabyte) und TLC-Technologie (Triple-Level-Cell) werden für Spezialanwendungen voraussichtlich bereits im ersten Quartal 2020 zur Verfügung stehen. Mit der neuen Generation zielt Kioxia auf die ständig steigenden Anforderungen zahlreicher Anwendungsgebiete ab – von mobilen Endgeräten über Consumer- und Enterprise-SSDs bis hin zu 5G-Anwendungen, künstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen.
Das Unternehmen wird die neue Prozesstechnologie der fünften Generation auch auf Speicherchips mit größerer Kapazität anwenden, beispielweise 1-Terabit-Triple-Level-Cell- und 1,33-Terabit-Quadruple-Level-Cell-Chips. Im Vergleich zum 96-Layer-Prozess lässt sich dadurch die Speicherdichte um rund 20 Prozent erhöhen. Die neue Technologie reduziert die Kosten pro Bit und steigert die Speicherkapazität pro Silizium-Wafer. KIOXIA gab außerdem bekannt, dass die Schnittstellengeschwindigkeit der Chips um 50 Prozent gesteigert wurde. Das bietet eine höhere Programmierleistung und verkürzt die Leselatenz, so das Unternehmen in seiner PR-Meldung.
Die fünfte Generation des BiCS-Flash wurde gemeinsam mit dem Technologie- und Produktionspartner Western Digital entwickelt. Die neue Generation der BiCS-Technologie wird im KIOXIA-Werk in Yokkaichi und im neu errichteten Kitakami-Werk produziert.
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