Infineon wird die Kapazität seines großen Halbleiterwerks in Richmond (USA) erweitern. Dazu werden in einer ersten Phase Systeme für die Fertigung modernster DRAM-Chips auf 300 mm Wafern installiert, so dass die Produktion ab Anfang 2005 beginnen kann. Mit dem Erweiterungsprojekt im Wert von 1 Milliarde US-Dollar schafft Infineon die Voraussetzungen für künftige Produkte.
Nach Abschluss der ersten Expansionsphase können monatlich 25.000 Wafer-Starts in 300 mm Technologie an dem Standort erreicht werden. Im neuen 300 mm Produktionsmodul werden zunächst DRAM-Chips in 110 nm hergestellt, wobei eine schnelle Umstellung auf 90 nm Produkte geplant ist.
Ab heute ist die FRITZ!Box 6825 4G verfügbar. Die kleine Mobilfunkbox bietet stabiles Internet mit bis zu 300 MBit/s über...
Der Arbeitsspeicher ist ein zentraler Bestandteil jedes Computers und hat einen entscheidenden Einfluss auf die Leistungsfähigkeit des Systems. Je nach...
Im zurückliegenden Monat gab es wieder einige spannende Themen im Bereich Newsmeldungen sowie interessante Artikel und Produkttests. Folgend möchten wir...
Mit der SanDisk Professional G-RAID PROJECT 2 positioniert SanDisk ein 2-Bay-Desktop-RAID für professionelle Medien- und Produktionsumgebungen. Das System ist mit...
Ein vernetztes Zuhause galt kürzlich noch als Spielerei. Smarte Thermostate, Sprachsteuerung und automatisierte Rollläden sind heute in vielen Haushalten üblich....
Mit dem T-FORCE XTREEM bietet TEAMGROUP einen DDR5 Desktop-Memory mit Geschwindigkeiten von bis zu 8.200 MHz an. Wir haben uns das DDR5-8000 Kit mit 32 GB im Test genauer angesehen.
Das G-RAID PROJECT 2 ist ein 2-Bay Storage-System für Profis und bietet eine Thunderbolt-Schnittstelle inkl. hoher Speicherkapazitäten. Wir haben das 48-TB-Modell getestet.